特許
J-GLOBAL ID：200903016500286430

結晶膜の形成方法

発明者：
秋山 浩二

秋山 浩二 について

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筒井 博司

筒井 博司 について

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水口 信一

水口 信一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-274402
公開番号（公開出願番号）：特開平10-120491
出願日： 1996年10月17日
公開日（公表日）： 1998年05月12日
要約：
【要約】【課題】 結晶性の優れた結晶膜、即ち結晶粒径が大きい多結晶または単結晶薄膜を、結晶でない絶縁物基板上でも400°C以下の低基板温度で形成する。【解決手段】 石英基板113をヒータ114で250〜350°Cに加熱し、SiH4ガス、希釈用ガスH2を真空容器102内に導入し、バルブ116を調節して0.1〜2.0Torrとし、電極103とグリッド電極118間にプラズマを発生させ,基板113上に非晶質シリコン膜を0.3〜1nm形成する。次に、高純度Heガスをボンベ108より真空容器内に導入し、0.1〜2.0Torrで高周波電力を印加し、電極間にプラズマを発生させ、a-SI:H膜表面に準安定状態にあるHe原子を接触させてa-Si:H膜の原子配列をより結晶に近いものに変化させ、高純度SiF4,高純度SiH4ガス,希釈用ガスのH2を真空容器内に導入し、結晶性Si膜をa-Si:H膜上に成長させる。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも非晶質相を含む膜を形成した後、少なくとも準安定状態にある粒子を前記非晶質相を含む膜に接触させて前記非晶質相を含む膜の原子配列を変化させ、前記非晶質相を含む膜を構成する原子を少なくとも含有する粒子を前記非晶質相に接触させて前記非晶質相を含む膜上に結晶膜を形成することを特徴とする結晶膜の形成方法。
IPC (6件)：
C30B 25/00 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
C30B 25/00 ,  C30B 29/06 504 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 618 A
引用特許：
審査官引用 (12件)
  • 特開平3-019325
  • 特開昭57-160993
  • 表面清浄化法および薄膜形成法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-119726   出願人：日本電信電話株式会社
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