特許

J-GLOBAL ID：200903016530914134

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 中村 修二 ,  山田 元量
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-304615
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156332
出願日： 1993年11月17日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 p型層、あるいはn型層の結晶性を損なうことなく製造することが可能な窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 サファイア基板上にn型層及びp型層が順に積層されて、予めn型層の電極形成面が露出するようにエッチングされた窒化ガリウム系化合物半導体を前記サファイア基板上に備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記電極形成面と同一面側にサファイア基板面が露出されている。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上にn型層及びp型層が順に積層されて、予めn型層の電極形成面が露出するようにエッチングされた窒化ガリウム系化合物半導体を前記サファイア基板上に備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記電極形成面と同一面側にサファイア基板面が露出したことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/301 ,  H01S 5/02 ,  H01S 5/323

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/02 ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/78 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-342584   出願人：旭化成工業株式会社
• 特開昭64-064811
  
• 特開平4-242985
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-352259   出願人：日亜化学工業株式会社