特許
J-GLOBAL ID:200903016539024093

低誘電正接樹脂組成物と絶縁体および半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-305152
公開番号(公開出願番号):特開2003-105036
出願日: 2001年10月01日
公開日(公表日): 2003年04月09日
要約:
【要約】【課題】高周波信号に対応した低誘電率,低誘電正接の絶縁体を与える硬化時にひび割れ、架橋成分の揮発等が生じず、複雑な形状の配線を被覆できる低誘電正接樹脂組成物の提供。【解決手段】一般式(但し、Rは置換基を有していてもよい炭化水素骨格、R1は水素,メチル,エチルのいずれか、mは1〜4の整数、nは2以上の整数を示す)で表される複数のスチレン基を有する架橋成分を含み、更に、高分子量体,充填剤の少なくとも一方を含有する常温で流動性を有することを特徴とする低誘電正接樹脂組成物。【化3】
請求項(抜粋):
一般式【化1】(但し、Rは置換基を有していてもよい炭化水素骨格、R1は水素,メチル,エチルのいずれか、mは1〜4の整数、nは2以上の整数を示す)で表される複数のスチレン基を有する架橋成分を含み、更に、高分子量体,充填剤の少なくとも一方を含有する常温で流動性を有することを特徴とする低誘電正接樹脂組成物。
IPC (5件):
C08F257/00 ,  C08F 2/44 ,  H01B 3/44 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (5件):
C08F257/00 ,  C08F 2/44 A ,  H01B 3/44 K ,  H01B 3/44 P ,  H01L 23/30 R
Fターム (37件):
4J011PA03 ,  4J011PA07 ,  4J011PA15 ,  4J011PB22 ,  4J011PC02 ,  4J011PC08 ,  4J026AA45 ,  4J026AA68 ,  4J026AB44 ,  4J026BA45 ,  4J026DB05 ,  4J026DB11 ,  4J026DB13 ,  4J026FA09 ,  4J026GA06 ,  4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA02 ,  4M109DB09 ,  4M109EA01 ,  4M109EB11 ,  4M109EC07 ,  5G305AA07 ,  5G305AB10 ,  5G305BA12 ,  5G305BA13 ,  5G305BA15 ,  5G305CA02 ,  5G305CA07 ,  5G305CA08 ,  5G305CA26 ,  5G305CC01 ,  5G305CC02 ,  5G305CC03 ,  5G305CC12 ,  5G305CC14 ,  5G305CD01
引用特許:
審査官引用 (15件)
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