特許
J-GLOBAL ID:200903016600445005
単結晶引き上げ用炭素質ルツボとその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
福田 保夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-055233
公開番号(公開出願番号):特開2000-247779
出願日: 1999年03月03日
公開日(公表日): 2000年09月12日
要約:
【要約】【課題】 石英ルツボとの反応性を低下させてSiOガスの発生を抑止し、SiOガスによる炭素質ルツボ気孔内のSiC化を防止することにより耐久性に優れ使用寿命の長い単結晶引き上げ用炭素質ルツボとその製造方法を提供する。【解決手段】 C/C基材の全気孔容積の35〜50 vol%がCVI法により析出したSiCで充填されたC/C材とSiCの複合体からなる単結晶引き上げ用炭素質ルツボ。その製造方法はC/C基材をCVI装置にセットして4Torr以下に真空排気し、1100〜1200°Cの温度で原料ガス中のハロゲン化有機珪素化合物の濃度を8〜25 mol%に設定して瞬間導入し、所定時間保持する、という一連の操作を1パルスとして所定回数繰り返し行い、C/C基材の気孔内にSiCを析出充填する。
請求項(抜粋):
炭素繊維強化炭素材を基材とし、該基材の全気孔容積の35〜50 vol%がCVI法により析出したSiCで充填された炭素繊維強化炭素材とSiCの複合体からなることを特徴とする単結晶引き上げ用炭素質ルツボ。
Fターム (5件):
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EG02
, 4G077PD11
引用特許: