特許
J-GLOBAL ID：200903016600606351
電力用半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-380074
公開番号（公開出願番号）：特開2003-189632
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 GND電位の変動により、パワー素子駆動回路が制御信号を誤認識して誤動作することがあった。【解決手段】 モータ等の誘導性負荷を駆動する電力変換装置におけるP側おびN側の駆動用パワー素子の双方の制御を同時に行う機能を有する電力用半導体装置においてパワー素子駆動回路へ駆動信号を供給する入力信号処理回路と、P側およびN側の駆動回路の間にレベルシフト回路(37、38、39、46、47、48)を挿入して、P側およびN側の駆動回路のGND線と、入力信号処理回路のGND線とを電気的に絶縁した。
請求項（抜粋）：
モータ等の誘導性負荷を駆動する電力変換装置におけるP側おびN側の駆動用パワー素子の双方の制御を同時に行う機能を有する電力用半導体装置において、パワー素子駆動回路へ駆動信号を供給する入力信号処理回路と、P側およびN側の駆動回路の間にレベルシフト回路を挿入して、P側およびN側の駆動回路のGND線と、入力信号処理回路のGND線とを電気的に絶縁したことを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H02M 7/48 M
, H02M 1/08 C
5H007AA17
, 5H007CA01
, 5H007CB02
, 5H007CB05
, 5H007CC07
, 5H007DB01
, 5H007DB03
, 5H007DB09
, 5H007FA01
, 5H007FA03
, 5H007FA09
, 5H007FA13
, 5H740AA04
, 5H740BA11
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740HH01
, 5H740KK01
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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