特許
J-GLOBAL ID：200903016616753729
薄膜半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-166514
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012904
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】絶縁基板上に、複数の薄膜半導体素子からなる薄膜半導体装置をマスクを用いて同時に形成する薄膜半導体装置の製造方法において、樹脂基板にも対応でき、高精度に精密なパターンを形成できる薄膜半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板1と同じ、若しくは同程度の熱変形率を有するマスクフィルム2を、絶縁基板1の薄膜形成面上に熱圧着し、薄膜半導体層20および電極層10、30を積層した後、マスクフィルム2を絶縁基板1から引き剥がすことによって、絶縁基板1上の積層した薄膜半導体層20および電極層10、30を互いに分離し、複数の薄膜半導体素子からなる薄膜半導体装置とする。クを形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に、複数の薄膜半導体素子からなる薄膜半導体装置をマスクを用いて同時に形成する薄膜半導体装置の製造方法において、基板とほぼ同じ熱変形率を有するマスクフィルムを絶縁基板の薄膜形成面上に固定し、薄膜半導体層および電極層を積層した後、マスクフィルムを絶縁基板から引き剥がすことにより、積層した絶縁基板上の薄膜半導体層および電極層を互いに分離し、複数の薄膜半導体素子からなる薄膜半導体装置とすることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
引用特許：
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