特許

J-GLOBAL ID：200903016632113322

半導体基材及びその作製方法

発明者： 岡川 広明 ,  只友 一行 ,  大内 洋一郎 ,  湖東 雅弘
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-335591
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331947
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。【解決手段】 (a)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板1を用いる。この基板を用いて気相成長した場合、原料ガスが凹部12及びその近傍に十分至らず、凸部11の上方部からしか結晶成長が起こらない。従って(b)図に示すように、結晶成長開始時は結晶単位20が発生し、さらに結晶成長を続けると凸部11の上方部を起点とし横方向に成長した膜がつながって、やがて(c)図のように凹部に空洞部13を残したまま、基板1の凹凸面を覆う。この場合、横方向に成長した部分、つまり凹部12上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。

請求項（抜粋）：

基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ、前記半導体結晶は該凹凸面における凸部の上方部から専ら結晶成長されたものであることを特徴とする半導体基材。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (30件)：

5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045AF13 ,  5F045BB13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61 ,  5F045DB09 ,  5F045EB15 ,  5F045HA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-216110   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置、半導体基板とそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-133844   出願人：松下電子工業株式会社