特許
J-GLOBAL ID：200903012840302052
半導体装置、半導体基板とそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-133844
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156524
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子の能動領域の格子欠陥を低減し、信頼性が高く、高性能な半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 格子欠陥aを有し、表面に段差を有する基板1と、前記基板1上に形成されるとともに前記段差上に低欠陥領域bを有するInGaN量子井戸よりなる活性層5と、前記基板1上に半導体素子とを備え、前記半導体素子の能動領域5aを前記低欠陥領域bに形成する。
請求項（抜粋）：
格子欠陥を有し、表面に段差を有する第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成されるとともに前記段差上に低欠陥領域を有する第2の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成された半導体素子とを有し、前記半導体素子の能動領域が前記低欠陥領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 33/00
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 29/205
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/861
, H01S 5/323
H01L 33/00 C
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 29/205
, H01L 29/80 B
, H01L 29/91 C
, H01S 3/18 673
