特許

J-GLOBAL ID：200903016646980444

AlN結晶の表面処理方法、AlN結晶基板、エピタキシャル層付AlN結晶基板および半導体デバイス

発明者： 石橋 恵二 ,  西浦 隆幸 ,  上村 智喜 ,  宮永 倫正 ,  藤原 伸介
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-241232
公開番号（公開出願番号）：特開2006-060069
出願日： 2004年08月20日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

【課題】 本発明は、半導体デバイスに用いることができるAlN結晶基板を効率的に得るため、効率よくAlN結晶にモフォロジーの良好な表面を形成するAlN結晶の表面処理方法を提供する。【解決手段】 AlN結晶の表面を機械研削または機械研磨する工程と、その表面をエッチングする工程とを含むAlN結晶の表面処理方法である。ここで、表面を機械研削または機械研磨する工程において、砥粒径が6μm以下の砥粒または砥石を用いることができる。また、表面をエッチングする工程をウエットエッチングにより行なうことができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

AlN結晶の表面を機械研削または機械研磨する工程と、前記表面をエッチングする工程とを含むAlN結晶の表面処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L21/306 B ,  H01L21/205 ,  H01L21/306 Q ,  H01L21/302 105B

Fターム (22件)：

3C049AA04 ,  3C049CA04 ,  3C049CB03 ,  3C063AA02 ,  3C063AB05 ,  3C063BB01 ,  3C063BB07 ,  3C063EE00 ,  5F004AA11 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DB19 ,  5F004EA38 ,  5F043AA05 ,  5F043BB06 ,  5F043FF07 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045GH02 ,  5F045HA04

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許第6596079号明細書
  
• 米国特許第6488767号明細書
  
• 国際公開第03/043780号パンフレット
  

審査官引用 (2件)

• 多波長発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-375326   出願人：三菱電線工業株式会社
• 3族窒化物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-214003   出願人：豊田合成株式会社