特許
J-GLOBAL ID：200903071065543591

3族窒化物半導体素子の製造方法

発明者：
小出 典克

小出 典克 について

, 
小池 正好

小池 正好 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214003
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040850
出願日： 1997年07月23日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】Si基板上に3族窒化物半導体を良好に結晶成長させること。【解決手段】n型Si基板1上に,SiドープのAl0.15Ga0.85Nから成る中間層2,SiドープのGaNから成る第1層31とSiドープのGa0.80In0.20Nから成る第2層32とが交互に積層された超格子層3,SiドープのGaNから成る高キャリア濃度層4,GaNから成るバリア層51とGa0.80In0.20N から成る井戸層52とが交互に所定周期で積層された多重量子井戸層5,p型Al0.15Ga0.85Nから成るクラッド層6,p型GaNから成るコンタクト層7が順次形成されている。コンタクト層7の上にはCoとAuの蒸着により透光性電極9が形成され, 基板下面1aにはAl又はAuから成る電極8が形成されている。中間層2,超格子層3により基板1との熱膨張係数の違いによる歪みが吸収されるので,結晶性が向上する。又, 基板1の両側に電極8,9を形成できるのでエッチングを要せず,製造効率が向上する。
請求項（抜粋）：
シリコン(Si)から成る基板上に形成された3族窒化物半導体素子の製造方法において、前記基板上に、(AlX1Ga1-X1)Y1In1-Y1N(0≦X1≦1,0≦Y1≦1)から成る第1層と、(AlX2Ga1-X2)Y2In1-Y2N(0≦X2≦1,0≦Y2≦1)から成る第2層とが、交互に積層された超格子層を形成し、前記超格子層の上に一般式(AlX3Ga1-X3)Y3In1-Y3N(0≦X3≦1,0≦Y3≦1)で表される複数の層から成る素子層を形成することを特徴とする3族窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (6件)
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