特許

J-GLOBAL ID：200903016667320576

有底の溝を有する半導体基板の製造方法

発明者： 小野木 淳士
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-320031
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135534
出願日： 2006年11月28日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：

【課題】 炭素を含まないガスを利用して半導体材料をドライエッチングすることによって、上部に丸みを持つ溝を形成するための技術を提供すること。【解決手段】 本発明では、有底の溝30を有する半導体基板を製造する。まず、半導体材料炭素を含むマスク20によって被覆されているマスク被覆領域10bとそのマスクによって被覆されていないマスク非被覆領域10cとを有する半導体材料10を用意する。さらに、マスク20とマスク非被覆領域10cの両方に向けて炭素を含まないガスを供給することによって、マスク非被覆領域10cから半導体材料10内に向けて伸びる有底の溝30を形成する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

有底の溝を有する半導体基板を製造する方法であり、 炭素を含むマスクによって被覆されているマスク被覆領域とそのマスクによって被覆されていないマスク非被覆領域とを有する半導体材料を用意する用意工程と、 マスクとマスク非被覆領域の両方に向けて炭素を含まないガスを供給することによって、マスク非被覆領域から半導体材料内に向けて伸びる有底の溝を形成する溝形成工程と を備える製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L29/78 658G ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 655 ,  H01L29/78 653A ,  H01L21/302 105A

Fターム (6件)：

5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004EA01 ,  5F004EB08

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-003954   出願人：富士電機ホールディングス株式会社
• 半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-048159   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ