半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-003954
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196523
出願日： 2005年01月11日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：

【目的】幅が1〜2μm以下に微細化されたトレンチを形成する際にも、トレンチ内部のエッチング残渣を充分に除去でき、しかも同時にトレンチの角部の丸めも適正に形成できる半導体装置の製造方法の提供。【構成】半導体基板の主面に垂直方向に深さを有するトレンチを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、トレンチを形成する工程が、半導体基板の主面に所望のパターンに形成された絶縁膜をマスクとしてトレンチエッチングする工程と、この工程の後に、少なくとも、ハロゲン系ガスによるエッチング工程と非酸化性かつ非窒化性雰囲気にて熱処理する工程とをこの順に行うこと半導体装置の製造方法とする。【選択図】図1-5

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に垂直方向に深さを有するトレンチを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、トレンチを形成する工程が、半導体基板の主面に所望のパターンに形成された絶縁膜をマスクとしてトレンチエッチングする工程と、この工程の後に、少なくとも、ハロゲン系ガスによりトレンチ内部を平滑化するためのエッチング工程と非酸化性かつ非窒化性雰囲気にて熱処理する工程とをこの順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/739 , H01L 21/76 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/306

FI (7件)：

H01L29/78 658G , H01L29/78 652K , H01L29/78 653A , H01L29/78 655Z , H01L21/76 L , H01L27/04 C , H01L21/302 105A

Fターム (23件)：

5F004AA07 , 5F004AA09 , 5F004AA14 , 5F004BA04 , 5F004DB01 , 5F004EA06 , 5F004EA07 , 5F004EA10 , 5F004EB04 , 5F004EB05 , 5F004FA01 , 5F004FA07 , 5F032AA35 , 5F032CA17 , 5F032DA25 , 5F032DA74 , 5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC10 , 5F038AC15 , 5F038AV06 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-159397 出願人：株式会社東芝
特許第3424667号公報(段落0028、0029)
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-333274 出願人：ローム株式会社

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-029979 出願人：株式会社デンソー
特開昭62-211923
特開昭62-211923

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