特許
J-GLOBAL ID：200903016672467674

半導体装置

発明者：
芝田 耕治

芝田 耕治 について

, 
河合 由子

河合 由子 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-298344
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139428
出願日： 1995年11月16日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：
【要約】【課題】 層間絶縁膜に低誘電率膜であるフッ素を含む絶縁膜を用いると、膜の形成時や吸湿により生成したフッ素イオンが配線層と反応して信頼性が低下する。【解決手段】 層間絶縁膜を、配線層9の上部のみに形成したフッ素を含まないP-SiO膜5と、P-SiO膜5の上部全面に形成したフッ素を含むプラズマ酸化膜10とで構成している。【効果】 P-SiO膜5が配線層9とプラズマ酸化膜10との反応を防止する。またP-SiO膜5を配線層9の上部のみに形成したので配線層間の容量の増加を招くことがない。
請求項（抜粋）：
上部配線層と下部配線層とを電気的に隔離する層間絶縁膜を有する半導体装置において、前記層間絶縁膜が前記下部配線層の上部のみに形成されたフッ素を含まない第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上部に形成されたフッ素を含む第2の絶縁膜とで構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316
FI (4件)：
H01L 21/90 M ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/302 N
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 特開平4-174541
  • 特開平3-097247
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-088880   出願人：株式会社東芝
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