特許
J-GLOBAL ID：200903016680189780

放射線撮像装置、その駆動方法及びその製造方法

発明者：
渡辺 実

渡辺 実 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-017806
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228516
出願日： 2003年01月27日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】小型かつ軽量で、容易に持ち運びすることができる放射線撮像装置、その駆動方法及びその製造方法を提供する。【解決手段】放射線撮像装置内に、放射線を画像にする撮像用光電変換素子1と放射線量をモニタするモニタ用光電変換素子2の双方が配置されている。モニタ用光電変換素子2はTFT型の素子で、そのドレイン電極22dは、撮像用光電変換素子1に接続された共通電極バイアスライン16に接続されている。従って、ドレイン電極22d用の引き回し配線は不要であり、配置位置まで引き回す配線が削減されている。放射線量をモニタする際には、モニタ用光電変換素子2の制御電極には半導体層の空乏化バイアスであるTFTのオフ電圧が印加されており、絶縁膜と半導体層の界面に蓄積されたホールは、共通電極バイアスラインに印加する蓄積バイアスにより撮像用光電変換素子と同時に除去される。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に配設され、放射線を電気信号に変換する複数の第1の半導体変換素子と、前記第1の半導体変換素子に接続された複数のスイッチ素子とを備えた変換部と、 前記変換部内に入射した放射線照射を検出するために前記基板上に配設され、放射線を電気信号に変換する第2の半導体変換素子と、 前記第1の半導体変換素子に設けられた第1の電極及び前記第2の半導体変換素子に設けられた第2の電極に接続されたバイアスラインと、 を有することを特徴とする放射線撮像装置。
IPC (5件)：
H01L27/14 ,  A61B6/00 ,  H01L27/146 ,  H01L31/09 ,  H04N5/30
FI (5件)：
H01L27/14 K ,  A61B6/00 300S ,  H04N5/30 ,  H01L27/14 C ,  H01L31/00 A
Fターム (29件)：
4C093AA16 ,  4C093CA32 ,  4C093EB13 ,  4C093EB17 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA11 ,  4M118CA25 ,  4M118CB11 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB24 ,  4M118FB30 ,  4M118GA10 ,  5C024AX11 ,  5C024AX16 ,  5C024CX37 ,  5C024CY47 ,  5C024GZ01 ,  5C024HX40 ,  5C024JX01 ,  5F088AB01 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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