特許
J-GLOBAL ID：200903016704590430

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者：
川戸 伸一

川戸 伸一 について

, 
渡辺 昌規

渡辺 昌規 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-117264
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327545
出願日： 2003年04月22日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】高出力・高温動作が可能で、かつ出射形状が低楕円率の半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、リッジストライプ部と、リッジストライプ部を埋め込んでいる層を有する半導体レーザ素子において、リッジストライプ部を埋め込んでいる層のうち、レーザ出射端面近傍にある層の屈折率が、残りの層の屈折率より低いことを特徴とする。レーザ出射端面近傍にある層は、レーザ出射端面からの幅Wが10μm以上、50μm以下である態様が好ましく、レーザ出射端面近傍にある活性層は、レーザ光を吸収しない端面窓構造を有するものが好適である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
リッジストライプ部と、該リッジストライプ部を埋め込んでいる層を有する半導体レーザ素子において、リッジストライプ部を埋め込んでいる層のうち、レーザ出射端面近傍にある層の屈折率が、残りの層の屈折率より低いことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S5/16 ,  H01S5/223 ,  H01S5/343
FI (3件)：
H01S5/16 ,  H01S5/223 ,  H01S5/343
Fターム (20件)：
5F073AA07 ,  5F073AA21 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA86 ,  5F073BA06 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073CB08 ,  5F073CB10 ,  5F073CB11 ,  5F073CB14 ,  5F073DA35 ,  5F073EA18 ,  5F073EA23 ,  5F073EA24 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (11件)
  • 特開平2-156588
  • 特開平2-156588
  • 特開昭61-174685
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