半導体レーザ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-115763
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316564
出願日： 1995年05月15日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】温度特性が良好でかつ非点隔差が小さい半導体レーザ装置を提供することである。【構成】 p-クラッド層5aの平坦部51aの端面近傍での厚さt1を内部領域での厚さt2よりも薄く形成することにより、端面近傍においてn-電流ブロック層6での光の吸収による水平方向の光の閉じ込めを強し、かつ内部領域においてn-電流ブロック層6による光の吸収損失を少なくする。

請求項（抜粋）：

屈折率導波型の半導体レーザ装置において、少なくとも主たるレーザ光の出射側の端面近傍で残りの領域よりも強い屈折率導波機構を有し、かつ前記残りの領域で前記主たるレーザ光の出射側の端面近傍よりも低い光吸収損失を有することを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体レーザおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-251566 出願人：松下電器産業株式会社
特開平2-156588
特開昭60-245189

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