3族窒化物半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-175239
公開番号（公開出願番号）：特開2004-274083
出願日： 2004年06月14日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】高輝度の青色から緑色の発光を得ると共に3族窒化物半導体だけで、各種の色の発光を得るようにすること。【解決手段】発光ダイオード500はサファイア基板1、バッファ層2、高キャリア濃度n+ 層3、SiドープのAl0.3Ga0.7N から成るn層4、発光層5、MgドープのAl0.3Ga0.7N から成るp層61、MgドープのGaN から成るコンタクト層62、Niから成る電極7、電極8で構成されている。発光層5は、膜厚約100 ÅのAl0.25Ga0.75N から成る6層のバリア層51と膜厚約100 ÅのAl0.2Ga0.8N から成る5層の井戸層52とが交互に積層された多重量子井戸構造である。井戸層52には、亜鉛とシリコンが、それぞれ、5 ×1018/cm3の濃度に添加されている。このような紫外線を発光する発光層5と、発光層5の放射する紫外線を受光して、電極7の上に可視光に変換する蛍光体層208とを設けた。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

発光層に3族窒化物半導体を用いたフリップチップ型の発光素子において、基板と、紫外線を発光する発光層と、前記基板の光取出側に設けられ、前記発光層の放射する前記紫外線を受光して、可視光に変換する蛍光体層とを有することを特徴とする発光素子。

IPC (4件)：

H01L33/00 , C09K11/08 , C09K11/62 , C09K11/64

FI (5件)：

H01L33/00 C , H01L33/00 M , C09K11/08 J , C09K11/62 , C09K11/64

Fターム (11件)：

4H001CA05 , 4H001XA07 , 4H001XA13 , 4H001XA31 , 4H001XA49 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA53 , 5F041CA57 , 5F041EE25

引用特許：

審査官引用 (16件)

発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-336011 出願人：日亜化学工業株式会社
量子井戸型半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-314770 出願人：旭化成工業株式会社
半導体レーザ素子を用いた照明用光源装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-068595 出願人：都築省吾

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