特許
J-GLOBAL ID：200903016741928310

半導体単結晶の成長方法及び貼り合わせ基板の製造方法

発明者：
井上 俊輔

井上 俊輔 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-320293
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176487
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】 単結晶品質、膜厚分布が極めて優れたSOI基板を、再現性良く低コストで生産する。【構成】 多孔質半導体表面を絶縁物化して絶縁層を形成する第1の工程と、前記絶縁層の少なくとも一部を除去することにより前記多孔質半導体の露出表面を形成する第2の工程と、還元性ガス又は還元性ガスを主成分とする雰囲気中において、前記多孔質半導体が前記絶縁層のない場合は構造変化を起こす第1の温度で、前記露出表面を熱処理する第3の工程と、1気圧又はその近傍の気圧のガス圧力中、前記第1の温度とほぼ同一又は前記第1の温度より低い第2の温度にて、前記多孔質半導体上に半導体単結晶を成長させる第4の工程と、を含む。
請求項（抜粋）：
多孔質半導体表面を絶縁物化して絶縁層を形成する第1の工程と、前記絶縁層の少なくとも一部を除去することにより前記多孔質半導体の露出表面を形成する第2の工程と、還元性ガス又は還元性ガスを主成分とする雰囲気中において、前記多孔質半導体が前記絶縁層のない場合は構造変化を起こす第1の温度で、前記露出表面を熱処理する第3の工程と、1気圧又はその近傍の気圧のガス圧力中、前記第1の温度とほぼ同一又は前記第1の温度より低い第2の温度にて、前記多孔質半導体上に半導体単結晶を成長させる第4の工程と、を含む半導体単結晶の成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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