特許
J-GLOBAL ID：200903016750614298
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177994
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354578
出願日： 1998年06月11日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板上に形成された接続パッドに接続された突起電極を有する半導体装置において、接続パッドの数が増加しても、突起電極の実質的なサイズ及びピッチを大きくする。【解決手段】 下地金属層26は、接続パッド23上に形成された接続部26aと、絶縁膜24の上面の所定の箇所に形成された接続パッド23とほぼ同じ大きさの接続パッド部26bと、その間に形成された引き回し線26cとからなっている。そして、接続パッド部26bの上面には、下面から上面に向かうに従って漸次大きくなる柱状電極30が形成されている。この場合、柱状電極30の実質的なサイズがその上面のサイズにより決まり、柱状電極30の実質的なピッチがその下面のサイズにより決まることになる。そして、柱状電極30を除く絶縁膜24の上面には保護膜32が形成され、柱状電極30の上面には半田ボールからなる突起電極33が形成されている。
請求項（抜粋）：
素子形成領域を含む上面全体に絶縁膜が形成され、前記素子形成領域以外の領域における前記絶縁膜に形成された開口部を介して接続パッドが露出されてなる半導体装置において、前記接続パッド上から前記絶縁膜上にかけて所定の大きさの接続パッド部を有する金属層が形成され、この金属層の接続パッド部の上面に上面のサイズが下面のサイズよりも大きい柱状電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
H01L 21/60 311 Q
, H01L 21/92 602 G
, H01L 21/92 604 B
