特許
J-GLOBAL ID：200903016752786932
パターン形成されたカーボンナノチューブ薄膜の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-247135
公開番号（公開出願番号）：特開2001-130904
出願日： 2000年08月17日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、パターン形成されたカーボンナノチューブ薄膜の作製方法を提供する。【解決手段】 固着性のパターン形成されたカーボンナノチューブ薄膜の作製方法が実現される。本発明に従って、基板はカーバイド形成材料、カーボン分解材料又は低融点金属でパターン形成される。次に、カーボンナノチューブをパターン形成された基板上に堆積させるが、基板材料又はパターン形成材料の固着性は比較的悪い。次に、基板は典型的な場合真空中で、具体的なパターン形成材料に依存した温度、たとえばカーバイド形成が起こる温度、カーボン分解が起こる温度又は低融点金属が溶融する温度で、アニールされる。アニーリングにより、パターン形成された領域上には固着性のナノチューブ薄膜が形成され、一方非パターン形成領域上に堆積させたナノチューブは、たとえば吹き込み研磨、ブラッシング又はメタノールのような溶媒中での超音波照射により、容易に除去される。
請求項（抜粋）：
基板を準備する工程;基板上にパターン形成された材料を供給し、材料はカーボン分解材料、カーバイド形成材料及び低融点金属から成る類から選択される工程;基板上にカーボンナノチューブを堆積させる工程;パターン形成された材料へのナノチューブの固着性を促進するため、基板をアニールする工程;及び基板の非パターン形成領域上に位置するナノチューブの少なくとも一部を除去する工程を含むパターン形成された固着性カーボンナノチューブ薄膜の作製プロセス。
IPC (4件)：
C01B 31/02 101
, B82B 3/00
, H01J 1/304
, H01J 9/02
C01B 31/02 101 F
, B82B 3/00
, H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
