特許

J-GLOBAL ID：200903016765679132

半導体素子収納用パッケージ

発明者： 小笠原 敏博
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-073276
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274203
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】気密封止の信頼性を高いものとして容器内部に収容する半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることができる安価な半導体素子収納用パッケージを提供することにある。【構成】セラミックス材料から成り、上面に半導体素子を収容するための段状の凹部1aを有する絶縁基体1と、前記絶縁基体1の凹部1aの段差部より外表面にかけて導出される複数個のメタライズ配線層4と、前記絶縁基体1の凹部1a周囲の外表面に取着されるシール金属層9と、前記シール金属層9に電気溶接により接合される金属製蓋体2とから成る半導体素子収納用パッケージであって、前記シール金属層9をタングステン、モリブデン、マンガンの少なくとも1種から成る厚みが15μm 乃至200 μm のメタライズ層7と、厚みが5 μm 乃至30μmのニッケル層8とで形成した。

請求項（抜粋）：

セラミックス材料から成り、上面に半導体素子を収容するための段状の凹部を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部の段差部より外表面にかけて導出される複数個のメタライズ配線層と、前記絶縁基体の凹部周囲の外表面に取着されるシール金属層と、前記シール金属層に電気溶接により接合される金属製蓋体とから成る半導体素子収納用パッケージであって、前記シール金属層をタングステン、モリブデン、マンガンの少なくとも1種から成る厚みが15μm 乃至200 μm のメタライズ層と、厚みが5 μm 乃至30μm のニッケル層とで形成したことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。

IPC (3件)：

H01L 23/02 ,  H01L 23/04 ,  H01L 23/08

FI (3件)：

H01L 23/02 C ,  H01L 23/04 G ,  H01L 23/08 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子収納用パツケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-306276   出願人：京セラ株式会社
• 特開平4-290251
  
• シールリング用ロー材及びこれを用いた半導体素子用パッケージの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-116511   出願人：日本特殊陶業株式会社
• 特開平3-283549