特許
J-GLOBAL ID：200903016790828576
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-167049
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012590
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【目的】 ウェットエッチング後に、アミン酸系剥離液にてレジスト剥離を行ってもシリコン基板を腐食しないで済むようにする。【構成】 シリコン基板1上にシリコン酸化膜2を形成し、その上にフォトレジスト膜3を形成する〔(a)図〕。ウェットエッチングを行ってシリコン酸化膜2をパターニングする。純水を用いてリンスを行った後、スピンドライヤを用いて乾燥する〔(b)図〕。熱処理等により基板表裏面に付着している残留水分を除去する〔(c)図〕。モノエタノールアミンを主成分とするアミン酸系剥離液にて処理を行ってフォトレジスト膜3を剥離除去する〔(d)図〕。
請求項（抜粋）：
(1)半導体基板に対し水を含む液にて処理を行う工程と、(2)乾燥処理を行う工程と、(3)前記乾燥処理により除去しきれなかった水分を除去する工程と、(4)アミン酸系処理液にて処理を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
H01L 21/306 D
, H01L 21/30 572 B
, H01L 21/302 H
