特許

J-GLOBAL ID：200903078602105002

半導体装置、その製造方法、及びその製造装置

発明者： 小平 晶子 ,  大泉 卓也 ,  久野 正明
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通カンタムデバイス株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-179432
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037904
出願日： 1993年07月20日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体基板、特に化合物半導体基板の表面状態を安定化させ、素子特性及びその面内均一性の向上と安定化を実現することができる半導体装置、その製造方法、及びその製造装置を提供することを目的とする。【構成】チェンバ10内に、ウェーハ12を装填すると共にモータ16によって回転されるウェーハホルダ14が架設されている。また、ウェーハ12表面に混合ガスを噴射するガス導入ノズル18aが設置され、ガス混合器20等を介してO2 ガス供給源、N2 ガス供給源、Arガス供給源に接続されている。更に、ウェーハ12表面に純水を噴射する純水導入ノズル18bが設置され、純水供給源に接続されている。また、混合ガス、純水、チェンバ10内の雰囲気を加熱するためのガス用ヒータ28a、純水用ヒータ28b、チェンバ用ヒータ30が設置され、ウェーハ温度等を制御するようになっている。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板上にショットキー接触して形成されている金属ゲートとを有する半導体装置において、前記化合物半導体基板表面に薄膜が形成され、前記薄膜が前記化合物半導体基板と前記金属ゲートとの間に介在していることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 351 ,  H01L 29/872

FI (5件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 21/302 N ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/80 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-132232
  
• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-286168   出願人：シヤープ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-032155   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-065341   出願人：株式会社ジャパンエナジー