特許

J-GLOBAL ID：200903016794019842

磁場印加による半導体単結晶の製造方法

発明者： 川島 茂樹 ,  稲垣 宏 ,  中島 広貴
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181210
公開番号（公開出願番号）：特開平10-007487
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：

【要約】【課題】 絞り部を破断させずに大重量の半導体単結晶を引き上げることが可能なMCZ法による半導体単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 絞り工程において、対流による融液表面近傍の温度変動幅を5°C以上にすることにより結晶成長界面の形状に変化を起こさせ、絞り部を無転位化する。磁石6,6により横磁場を印加する場合、磁場強度を2000ガウス以下に下げ、結晶成長界面の形状を適度に変化させて絞り部10を形成する。これにより、絞り部10の直径を通常より太くしても無転位化を達成することができる。無転位化後は磁場強度を復元し、肩部11以降を形成する。なお、カスプ磁場印加の場合は、上下の磁石の一方の磁場強度を増加するとともに他方の磁場強度を減少させ、または上下の磁石を垂直移動させることにより、融液表面近傍を縦磁場に近似する状態にして絞りを行う。無転位化後は磁場強度または磁石位置を復元する。

請求項（抜粋）：

磁場印加による半導体単結晶の製造に際し、肩工程に先立つ絞り工程において、対流による融液表面近傍の温度変動幅を5°C以上にすることにより結晶成長界面の形状に変化を起こさせ、絞り部を無転位化することを特徴とする磁場印加による半導体単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 30/04

FI (3件)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 G ,  C30B 30/04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-063614   出願人：住友シチックス株式会社
• 単結晶引上装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-054373   出願人：三菱マテリアル株式会社