特許

J-GLOBAL ID：200903016815756400

光導波路デバイス及びその製造方法

発明者： 渡邊 真也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-127000
公開番号（公開出願番号）：特開2007-298770
出願日： 2006年04月28日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：

【課題】 高温の熱処理が必要な場合でも、マスクの機能を損なわせること無く、高精度な台座ブロックを作製する。【解決手段】 マスク22となるクロム膜21は、エッチングストップ層(図示せず)上の下部クラッド層122、コア層13及び上部クラッド層14が除去され、かつエッチングストップ層が除去された後、下部クラッド層122上に形成される。そのため、クロム膜21を形成する前に、下部クラッド層121,122、コア層13などに高温の熱処理を施しても、クロム膜21には何ら影響を与えない。一方、台座ブロック19の高さ精度を決定するマスク22下の下部クラッド層121は、製造工程中常にエッチングストップ層又はマスク22によって保護されている。したがって、このような高温の熱処理が必要な場合でも、マスク22の機能を損なわせること無く、高精度な台座ブロック19を作製できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された下部クラッド層、コア層及び上部クラッド層を有する光導波路形成層から成る光導波路部と、前記光導波路形成層の一部が除去されて成る光素子搭載部とを有し、前記光導波路形成層の一部の除去によって露出した前記光導波路部の端面に、前記光素子搭載部に搭載された光素子が光学的に結合される光導波路デバイスにおいて、 前記光素子搭載部は、前記コア層及び前記上部クラッド層が除去されかつ部分的に残された前記下部クラッド層と、この下部クラッド層上に設けられた薄膜から成るマスクとを有し、このマスクに前記光素子が接触し、 前記マスクは前記下部クラッド層を部分的に残す際のマスクとして機能し、少なくとも前記コア層はプラズマCVD膜から成る、 ことを特徴とする光導波路デバイス。

IPC (3件)：

G02B 6/122 ,  G02B 6/13 ,  G02B 6/42

FI (3件)：

G02B6/12 B ,  G02B6/12 M ,  G02B6/42

Fターム (34件)：

2H137AA05 ,  2H137AB12 ,  2H137AC01 ,  2H137BA52 ,  2H137BB02 ,  2H137BB25 ,  2H137BB33 ,  2H137CA20F ,  2H137CA34 ,  2H137CA57 ,  2H137CA73 ,  2H137CB03 ,  2H137CB25 ,  2H137EA04 ,  2H137EA05 ,  2H137EA07 ,  2H137EA11 ,  2H147AB02 ,  2H147AB13 ,  2H147AB20 ,  2H147BG06 ,  2H147CB03 ,  2H147CC08 ,  2H147DA08 ,  2H147EA10D ,  2H147EA13C ,  2H147EA14A ,  2H147EA14B ,  2H147FA03 ,  2H147FA25 ,  2H147FC02 ,  2H147FC05 ,  2H147FD09 ,  2H147GA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光結合回路及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-118645   出願人：日本電気株式会社
• 光導波路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-169259   出願人：日立電線株式会社