特許

J-GLOBAL ID：200903016825908098

シリコン単結晶およびエピタキシャルウェーハ

発明者： 浅山 英一 ,  宝来 正隆 ,  村上 浩紀 ,  久保 高行
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-358557
公開番号（公開出願番号）：特開平11-189493
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】【課題】工程を増すことなく十分なゲッタリング効果を有する高密度集積度デバイス用のエピタキシャルウェーハ、およびそのウェーハを製造するのに適したSi単結晶の提供。【解決手段】(1) 窒素を1013atoms/cm3以上ドープして育成したエピタキシャルウェーハ用に適したシリコン単結晶、(2) その単結晶を用い、表面にエピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャルウェーハ、(3) その単結晶を用いた、熱酸化処理した場合に表面でOSFが102/cm2以上発生するウェーハの表面上にエピタキシャル層を成長させたウェーハ。(4) その単結晶を用いた、1100°C以上の熱処理後に断面にて5×103/cm2以上の欠陥が発生するスライス切断片の表面上にエピタキシャル層を成長させたウェーハ。

請求項（抜粋）：

窒素を1013atoms/cm3以上ドープして育成されることを特徴とするエピタキシャルウェーハ用に適したシリコン単結晶。

IPC (5件)：

C30B 29/06 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/36

FI (5件)：

C30B 29/06 A ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 21/36

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-251190
  
• 特開昭61-017495
  
• シリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-128062   出願人：信越半導体株式会社
• シリコン単結晶基板の製造方法および品質管理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-127091   出願人：信越半導体株式会社