特許
J-GLOBAL ID：200903016838993361

プラズマ処理方法および装置

発明者：
中田 健二

中田 健二 について

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田村 直行

田村 直行 について

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小川 芳文

小川 芳文 について

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椿 武士

椿 武士 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210446
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064159
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【目的】プロセス処理のバラツキを低減する。【構成】マイクロ波導入前後の真空容器67内の光量を光電子倍増管73により電気信号として測定し、これら2つの電気信号を比較して真空容器67内におけるプラズマの生成を確認する。その後、試料裏面への冷却ガスの供給および試料台68へのバイアス電圧の印加を行ない、プロセス処理を実行する。
請求項（抜粋）：
真空室内にプラズマを発生させるとともに、試料台に静電吸着電圧を印加して前記試料台に配置した試料を静電吸着保持し、前記プラズマによって前記試料を処理するプラズマ処理方法において、前記プラズマの着火を確認した後に、前記試料裏面への伝熱ガスの供給および前記試料台へのバイアス電圧の印加を行なうことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/68 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (6件)：
H01L 21/68 R ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 A ,  H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 B
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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