特許
J-GLOBAL ID：200903016856822272
電界効果型トランジスタのゲート電極及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-166393
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017850
出願日： 1994年06月24日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 ゲート長の短縮を進めても、構造強度を確保したまま、ゲート抵抗及びフリンジング容量の低減を実現でき、素子の高周波性能が大幅に向上する電界効果型トランジスタのゲート電極とその製造方法を提供する。【構成】 電界効果型トランジスタのゲート電極構造において、ショットキーゲート電極を構成する第1の金属(104)上に、第1の金属(104)から張り出すように低抵抗な第2の金属(105)が形成され、さらにこの第2の金属(105)に接触しない絶縁膜(103)が第1の金属(104)の周りを覆うように形成された構造を有する。【効果】 T型構造の細い下の一部分が絶縁膜で支えられているため、構造強度が増す。また、T型構造の張り出した部分と半導体の動作層との距離が従来より離れており、フリンジング容量を低減できる。従って、構造強度を確保した上で、ゲート長の短縮と、ゲート抵抗及びフリンジング容量の低減の全てを実現できる。
請求項（抜粋）：
電界効果型トランジスタのゲート電極構造において、第1の金属がショットキーゲート電極を構成し、この第1の金属上に、第1の金属より張り出すように覆った低抵抗な第2の金属があり、さらにこの第2の金属には接触しない絶縁膜が第1の金属の周りを覆っていることを特徴とする電界効果型トランジスタのゲート電極。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
