半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-015098
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244198
出願日： 2005年01月24日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】ガリウムを含む半導体装置の基板を分割する際に、分割面が平面で均一に形成でき、電極の導通不良や樹脂剥離の発生が少ない半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ガリウムを用いたn型半導体層2およびp型半導体層3を形成した基板1に、レーザ照射6により溝を形成して、個々の基板の境界とする工程と、基板1を酸溶液(塩酸)7に浸漬する工程と、基板1を塩酸7から取り出し、溝を形成した境界から個々の基板に分割する工程とを含むことを主要な特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体層と基板の少なくとも一方にガリウムを含む半導体層を形成した基板を、レーザ照射により分割する半導体装置の製造方法において、前記基板に対し分割する箇所にレーザ照射により溝を形成して個々の基板の境界とする工程と、前記基板を酸溶液に浸漬する工程と、前記基板を前記溝を形成した境界から個々の前記基板に分割する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/301 , B23K26/38 , B23K26/40 , H01L33/00

FI (6件)：

H01L21/78 U , B23K26/38 320Z , B23K26/40 , H01L33/00 C , H01L21/78 B , H01L21/78 V

Fターム (9件)：

4E068AA01 , 4E068AE01 , 4E068DA10 , 4E068DB11 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA76 , 5F041CA77

引用特許：

出願人引用 (3件)

窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-328665 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-345937 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体ウエハーのチップ分割方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-099894 出願人：豊田合成株式会社

審査官引用 (6件)

特開昭53-031961
特開昭58-043515
特開昭49-122278

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