特許

J-GLOBAL ID：200903016880162380

半導体薄膜形成方法および太陽電池の製造方法

発明者： 別府 達郎 ,  早瀬 修二 ,  平岡 俊郎 ,  鎌田 敦之 ,  佐野 健二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-247869
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237927
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】 大面積のシリコンで構成される半導体薄膜を容易に形成できる方法、およびこの方法を利用して大面積の太陽電池を製造する方法を提供する。【解決手段】 一般式-(SiR1 2 )n -(式中、Rは水素、β位水素を有する炭素数2以上のアルキル基およびフェニル基、シリル基からなる群より選択される少なくとも1種)で表されるポリシランの溶液を基板上に塗布した後、熱分解してシリコンを遊離させる。

請求項（抜粋）：

半導体原料の溶液を基板上に塗布した後、熱分解して半導体を遊離させて半導体薄膜を形成する方法であって、前記半導体原料が、一般式(I)および(II)【化1】(式中、Mはシリコンおよびゲルマニウムからなる群より選択され、R1 は、それぞれ独立に、水素、β位水素を有する炭素数2以上のアルキル基およびフェニル基、シリル基からなる群より選択される。)で表される化合物、一般式(III)および(VI)【化2】(式中、Mはシリコンおよびゲルマニウムからなる群より選択され、Xはハロゲン原子、nは4以上の整数、aは1または2である。)で表される化合物、一般式(V)【化3】(式中、R2 は、それぞれ独立に、下記式で表される置換または非置換のアルキル基、アリール基およびアラルキル基からなる群より選択される。)【化4】(式中、R3 は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜15の置換または非置換のアルキル基、炭素数6〜15の置換または非置換のアリール基、および炭素数7〜15の置換または非置換アラルキル基からなる群より選択され、R4 は炭素数1〜15の置換または非置換アルキル基、炭素数6〜15の置換または非置換アリール基、および炭素数7〜15の置換または非置換アラルキル基からなる群より選択される。)で表される化合物、ならびに一般式(VI)【化5】(式中、R5 は、それぞれ独立に、炭素数1〜15の置換または非置換のアルキル基、アリール基、およびアラルキル基、ならびにケイ素数1〜5の置換または非置換のシリル基からなる群より選択される。)で表される化合物からなる群より選択されることを特徴とする半導体薄膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 51/00 ,  C23C 18/08 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/368 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 29/28 ,  C23C 18/08 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/368 L ,  H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体材料の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-155364   出願人：日本石油株式会社
• アモルフアスシリコン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-306340   出願人：昭和電工株式会社
• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-333091   出願人：日本石油株式会社