特許

J-GLOBAL ID：200903016900054369

シリコンウエハ欠陥検査方法

発明者： 田辺 淳 ,  清水 みゆき ,  泉妻 宏治
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-209259
公開番号（公開出願番号）：特開2004-053338
出願日： 2002年07月18日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】半導体ウエハ上の欠陥を検出する方法において、検出された欠陥の形状が凸形状なのか、あるいは凹形状なのかを識別する方法を提供すること。【解決手段】シリコンウエハ表面上の欠陥を検出する工程の結果から、同一の欠陥が複数の差分画像から検出されたかにより欠陥毎に検出率を算出し、前記検出率に従って前記シリコンウエハ表面上の欠陥毎に該欠陥の形状を識別する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

シリコンウエハの上方に設置された光源から該シリコンウエハの表面を照射して、シリコンウエハ表面上の欠陥を検査する方法において、 前記シリコンウエハを所定の角度回転させ、前記シリコンウエハの上方に設置された撮像部から、前記照射による該シリコンウエハ表面の反射光を撮像し、前記シリコンウエハ表面上の欠陥を検出する工程と、 前記撮像した複数の画像に基づいて、前記検出した夫々の欠陥について該欠陥の形状を識別する工程と を含むことを特徴とするシリコンウエハ欠陥検査方法。

IPC (4件)：

G01N21/956 ,  G01B11/24 ,  G01B11/30 ,  H01L21/66

FI (4件)：

G01N21/956 A ,  G01B11/30 A ,  H01L21/66 J ,  G01B11/24 K

Fターム (34件)：

2F065AA49 ,  2F065CC19 ,  2F065FF04 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ09 ,  2F065JJ26 ,  2F065NN02 ,  2F065PP13 ,  2F065QQ03 ,  2F065QQ24 ,  2F065QQ25 ,  2F065QQ31 ,  2F065QQ42 ,  2F065RR09 ,  2G051AA51 ,  2G051AB01 ,  2G051AB02 ,  2G051AB07 ,  2G051BA20 ,  2G051CA03 ,  2G051CA04 ,  2G051CB01 ,  2G051DA05 ,  2G051DA08 ,  2G051EA08 ,  2G051EA12 ,  2G051EA14 ,  2G051EB01 ,  2G051EB02 ,  2G051EC03 ,  4M106AA01 ,  4M106CA38 ,  4M106CA41

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 表面形状測定装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-177672   出願人：信越半導体株式会社
• パタ-ン検査方法およびパタ-ン検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-001151   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 異物・欠陥検出装置及び検出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-388628   出願人：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
• 特開平4-235306