特許
J-GLOBAL ID：200903016914353199

CVD又はALDによる膜の堆積のための方法

発明者：
アンティ エイチ. ラツ

アンティ エイチ. ラツ について


出願人/特許権者：
エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.

エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー. について


代理人 (3件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  斎藤 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-308013
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142415
出願日： 2006年11月14日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】不飽和の配位を有する気相反応物の同種の他の分子と結合又はリアクタ壁への接着を防止する。 【解決手段】気相堆積プロセス(2つ以上の反応物が該反応チャンバに供給される)によって反応チャンバ中の基板上の膜の堆積を改良するための方法であって、以下: 揮発性中性配位リガンドを該反応チャンバに供給すること(ここで、該リガンドは、(i)該反応物の1つ及び(ii)該膜堆積プロセスの間に該チャンバ中に形成される反応副生成物、の少なくとも1つに配位することが出来る);を含む方法を提供すること。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
2つ以上の反応物が該反応チャンバに供給される気相堆積プロセスによって反応チャンバ中の基板上の膜の堆積を改良するための方法であって、以下: 揮発性中性配位リガンドを該反応チャンバに供給すること(ここで、該リガンドは、(i)該反応物の1つ及び(ii)該膜堆積プロセスの間に該チャンバ中に形成される反応副生成物、の少なくとも1つに配位することが出来る); を含む方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/312
FI (3件)：
H01L21/316 X ,  C23C16/40 ,  H01L21/312 M
Fターム (16件)：
4K030AA03 ,  4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF22 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (2件)

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