特許

J-GLOBAL ID：200903016919670206

異質構造の製造方法

発明者： マルティネ ミュリエル ,  ブサゴル アリス
出願人/特許権者： エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース
代理人 (2件)： 鎌田 耕一 ,  黒田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-170674
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005708
出願日： 2004年06月09日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】 異なる熱膨張係数を有する2つの基板が接合した構造を製造するための新たな方法を提供する。 【解決手段】 第1の物質によって構成される第1の基板20と、第1の物質とは熱膨張係数が異なる第2の物質によって構成される第2の基板22と、第1および第2の物質の一方または他方と同じである物質から形成されるか、或いは第1および第2の物質の一方または他方の熱膨張係数と近似するかまたは同じである熱膨張係数を有する物質で構成される第3の基板26とを選択する工程と、第1の基板20と第2の基板22とが貼り合わさるように、且つ、第1および第2の基板20および22のうちの1つと第3の基板26とが貼り合わさるように集合体を形成する工程と、第1の基板20の厚み内に亀裂を生じさせる工程とを含む。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

第1の物質の層を、第2の物質によって構成される基板上に形成する方法であって、 前記第1および第2の物質は異なる熱膨張係数を有し、 第1の物質によって構成される第1の基板と、第2の物質によって構成される第2の基板と、前記第1および第2の物質の一方または他方と同じである物質から形成されるか、或いは前記第1および第2の物質の一方または他方の熱膨張係数と近似するかまたは同じである熱膨張係数を有する物質で構成される第3の基板とを選択する工程と、 前記第1の基板と前記第2の基板とが貼り合わさるように、且つ、前記第1および第2の基板のうちの1つと前記第3の基板とが貼り合わさるように集合体を形成する工程と、 前記第1の基板の厚み内に亀裂を生じさせる工程とを含む方法。

IPC (3件)：

H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

FI (4件)：

H01L21/02 B ,  H01L21/02 C ,  H01L27/12 B ,  H01L21/265 Q

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 欧州特許出願公開第767486号明細書
  
• 米国特許第5395788号明細書
  

審査官引用 (4件)

• 半導体部材の製造方法および半導体部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-310331   出願人：キヤノン株式会社
• 複合基板材料の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-227650   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平1-290229
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-151301   出願人：株式会社ルネサステクノロジ