スパッタリング装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：保立浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-111901
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289886
出願日： 1997年04月14日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】高アスペクト比のホールの内面にボトムカバレッジ率よく成膜を行えるようにする。【解決手段】ガス導入手段4と排気系11を備えたスパッタチャンバー1内に設けられたターゲット2をスパッタ電源3によってスパッタして、基板ホルダー5に保持された基板50に所定の薄膜を堆積させる。ターゲット2から基板50へのスパッタ粒子の飛行経路上のイオン化空間にはレーザー発振器6によって所定のレーザーが照射され、スパッタ粒子をイオン化させる。基板ホルダー5に高周波電圧を印加する高周波電源7によって引き出し用電界が設定され、イオン化スパッタ粒子がイオン化空間から引き出して基板50に効率良く到達する。イオン化スパッタ粒子はホールの縁のオーバーハングを解消するとともに、引き出し用電界によってホールの底面に効率良く到達し、ホールのボトムカバレッジ率を向上させる。

請求項（抜粋）：

排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に設けられたターゲットと、ターゲットをスパッタするスパッタ電源と、スパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入手段と、スパッタ粒子が入射する位置に基板を保持する基板ホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、ターゲットから基板へのスパッタ粒子の飛行経路に設定されたイオン化空間に所定のレーザーを照射してスパッタ粒子をイオン化させるレーザー発振器を備えていることを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/285 , C23C 14/34 , H01L 21/203

FI (3件)：

H01L 21/285 S , C23C 14/34 S , H01L 21/203 S

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-050957
スパッタリング方法及びスパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-194952 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社, 堀池靖浩
薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-267903 出願人：株式会社リコー

審査官引用 (4件)

特開平2-050957
特開平2-050957
スパッタリング方法及びスパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-194952 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社, 堀池靖浩

全件表示

前のページに戻る