窒化ガリウム系化合物半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-196374
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064871
出願日： 1994年08月22日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】窒化ガリウム系化合物半導体、特にp型窒化ガリウム系化合物半導体と良好なオーミック接触が得られる電極を提供することにより、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子、受光素子等のVfを低下させる。【構成】 p型の窒化ガリウム系化合物半導体層を有し、その半導体層に電極が形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体素子において、前記p型層の電極は、そのp型層に接する側にマグネシウム(Mg)、または少なくともMgを含む合金が使用されている。

請求項（抜粋）：

p型の窒化ガリウム系化合物半導体層を有し、その半導体層に電極が形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体素子において、前記p型層の電極は、そのp型層に接する側にマグネシウム(Mg)、または少なくともMgを含む合金が使用されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 31/10 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭53-128273
特開昭63-095695
特開昭63-252471

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