特許

J-GLOBAL ID：200903017020964524

エピタキシャル基板

発明者： 津田 道信 ,  岩谷 素顕 ,  上山 智 ,  天野 浩 ,  赤崎 勇
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-093875
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285870
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】従来の窒化物系半導体を用いた電界効果トランジスタ製造用のエピタキシャル基板は、まだ、十分な電子移動度を有しているとは言えず、さらなる電子移動度向上が必要であった。【解決手段】窒化物系半導体により構成された、電子走行層及び障壁層を順次積層してなるヘテロ構造を含む電界効果トランジスタ製造用のエピタキシャル基板において、上記障壁層が、AlxGa1-xN(0<x≦1)で表される窒化アルミニウムガリウムからなる第1の層と窒化ガリウムからなる第2の層を、交互に周期的に積層してなる超格子構造であり、上記第1の層の膜厚t1と第2の層の膜厚t2が、0.9<t1/t2<1.1を満たし、かつ、周期数Nが、3<N<10を満たすものとする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に窒化物系半導体により構成された電子走行層及び障壁層を順次積層してなるヘテロ構造を含む電界効果トランジスタ製造用のエピタキシャル基板において、上記障壁層が、AlxGa1-xN(0<x≦1)で表される窒化アルミニウムガリウムからなる第1の層と窒化ガリウムからなる第2の層を交互に周期的に積層してなる超格子構造であり、上記第1の層の膜厚t1と第2の層の膜厚t2が0.9<t1/t2<1.1を満たし、周期数Nが、3<N<10を満たすことを特徴とするエピタキシャル基板。

IPC (3件)：

H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (12件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-364012   出願人：日亜化学工業株式会社