特許
J-GLOBAL ID：200903017026098160

半導体装置

発明者：
上野 豊

上野 豊 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-367482
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168758
出願日： 2001年11月30日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：
【要約】【課題】 量産性及び半田実装性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、基板11と、この基板11上に配置された半導体チップ14と、基板11内に形成され、半導体チップ14と接続する電極13とを備えたリードレスパッケージ構造の半導体装置であって、基板11の側面に設けられ、基板の裏面から表面に達しない深さまで窪み、電極13の少なくとも一部を露出する凹部16と、この凹部16内の電極13の露出した部分に、基板11の側面に達しない厚みで形成された金属17とを具備している。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に配置された半導体チップと、前記基板内に形成され、前記半導体チップと接続する電極とを備えたリードレスパッケージ構造の半導体装置であって、前記基板の側面に設けられ、前記基板の裏面から表面に達しない深さまで窪み、前記電極の少なくとも一部を露出する凹部と、前記凹部内の前記電極の露出した部分に、前記基板の前記側面に達しない厚みで形成された金属とを具備することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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