特許
J-GLOBAL ID：200903017032446618

被転写層の剥離方法、薄膜デバイス装置とその製造方法、アクティブマトリクス基板とその製造方法、及び電気光学装置

発明者：
青木 敬

青木 敬 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-010418
公開番号（公開出願番号）：特開2005-202279
出願日： 2004年01月19日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
【課題】 デバイスへのダメージが少なく、またコスト低減を可能にした被転写層の剥離方法と、これを用いた薄膜デバイス装置の製造方法、さらには薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置を提供する。【解決手段】 第1基材100上に第1分離層120を形成する工程と、これの上に薄膜デバイス(140)を形成する工程と、薄膜デバイスに第2基材180を接着する工程と、第1分離層120にエネルギー光を照射し、その層内または界面で剥離現象を生じさせ、薄膜デバイス側から第1基材100を剥離し、薄膜デバイスを第2基材180側に転写する工程と、を備えた薄膜デバイス装置の製造方法である。第1分離層120を形成する工程が、シラン系化合物を含む液状材料を第1基材100上に配する工程と、第1基材100上の液状材料を熱処理してアモルファスシリコン膜とする工程と、を有している。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基材上に分離層を形成する工程と、 前記分離層上に被転写層を形成する工程と、 前記分離層に光を照射して、前記被転写層から前記基材を剥離する工程と、を備えてなり、 前記分離層を形成する工程が、シラン系化合物を含む液状材料を前記基材上に配する工程と、該基材上の液状材料を熱処理してアモルファスシリコン膜とする工程と、を有していることを特徴とする被転写層の剥離方法。
IPC (8件)：
G09F9/00 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786
FI (7件)：
G09F9/00 338 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  H01L21/02 C ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 627D
Fターム (56件)：
2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092MA29 ,  2H092MA31 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F048AB10 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BC16 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BG07 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL08 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110QQ16 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435EE34 ,  5G435HH13 ,  5G435KK05
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 剥離方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-305884   出願人：セイコーエプソン株式会社
審査官引用 (2件)

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