特許
J-GLOBAL ID：200903020337276900

剥離方法

発明者：
宇都宮 純夫

宇都宮 純夫 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-305884
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133809
出願日： 1998年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】大きな面積を有する被転写層を、その特性、条件等に拘らず、容易かつ確実に剥離することができる方法を提供すること。【解決手段】基板10上に例えば非晶質シリコンからなる分離層20を形成し、分離層20の上に直接または中間層30を介して被転写層40を形成する。被転写層40上に接着層50を介して転写体60を接合し、基板10の裏面11側から高エネルギーを有する照射光70を繰り返し照射する。このとき、分離層界面21および/または22に界面粗さが生じ、界面の接触面積が低下するために分離層界面21および/または22の密着力が低下し、この界面において剥離が生じる。なお、分離層界面21および/または22の界面粗さ、すなわち剥離に要する力は、照射光70の照射回数により制御することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に分離層を介して存在する被転写層を前記基板から剥離する剥離方法であって、前記分離層に照射光を照射して、該分離層の界面において剥離を生ぜしめ、前記被転写層を前記基板から離脱させることを特徴とする剥離方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (2件)：
H01L 29/78 627 Z ,  H01L 29/78 627 D
Fターム (19件)：
5F110DD03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF31 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK03 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ30
引用特許：
審査官引用 (3件)

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