特許

J-GLOBAL ID：200903004934959850

デバイスの製造方法、デバイス及び電子機器

発明者： 青木 敬 ,  古沢 昌宏 ,  湯田坂 一夫
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-119962
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318120
出願日： 2002年04月22日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、小型で安価な装置により、生産性が高く、欠陥が少なく、歩留まりが高く、段差部で断線がなどがなく、低コストで薄膜形成でき、従って低コストでデバイスを製造する方法を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明は、シリコン膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極用導電膜と、層間絶縁膜と、電極及び配線用導電膜の各薄膜を有するデバイスの製造方法において、前記シリコン膜の形成が、液体材料を塗布して塗布膜を形成する工程と、次に該塗布膜をシリコン膜にする熱処理工程及び/または光照射工程と、を含み、前記液体材料として、光重合性を有するシラン化合物の溶液に、紫外線を照射することにより光重合してなる高次シランを含む高次シラン組成物を使用することを特徴とするデバイスの製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

シリコン膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極用導電膜と、層間絶縁膜と、電極及び配線用導電膜の各薄膜を有するデバイスの製造方法において、前記シリコン膜の形成が、液体材料を塗布して塗布膜を形成する工程と、次に該塗布膜をシリコン膜にする熱処理工程及び/または光照射工程と、を含み、前記液体材料として、光重合性を有するシラン化合物の溶液に、紫外線を照射することにより光重合してなる高次シランを含む高次シラン組成物を使用することを特徴とするデバイスの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/208 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (10件)：

H01L 21/208 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/288 M ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 619 A

Fターム (78件)：

4M104AA09 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD53 ,  5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB06 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA10 ,  5F052DB09 ,  5F052JA01 ,  5F052JA02 ,  5F053AA03 ,  5F053AA06 ,  5F053AA50 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG02 ,  5F053GG03 ,  5F053HH05 ,  5F053KK03 ,  5F053KK10 ,  5F053PP03 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC06 ,  5F110CC07 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD11 ,  5F110EE02 ,  5F110EE09 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG54 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ11 ,  5F110HJ16 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HL02 ,  5F110HL07 ,  5F110HL21 ,  5F110HL22 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN23 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (6件)

• シリコン膜またはシリコン酸化膜の形成方法およびそのための組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-245947   出願人：ジェイエスアール株式会社
• シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-195985   出願人：シャープ株式会社, 昭和電工株式会社
• シリコン粒子の製造方法及びシリコン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-205984   出願人：シャープ株式会社
• シリコン膜の形成方法およびそのための組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-375992   出願人：ジェイエスアール株式会社
• シリコン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-133185   出願人：シャープ株式会社
• シリコン膜形成用の高次シラン含有溶液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-342682   出願人：昭和電工株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• シリコーン ハンドブック, 19900831, p.729