特許
J-GLOBAL ID：200903017086063234

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
加藤 樹理

加藤 樹理 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-343517
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109346
出願日： 2003年10月01日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 コンタクト構造の煩雑化を抑制しつつ、コンタクト抵抗を低減させる。【解決手段】 エピタキシャル成長により、単結晶半導体層7a、7bをLDD層5a、5b上に選択的に形成し、層間絶縁膜9および単結晶半導体層7a、7bをそれぞれ介してソース層8aおよびドレイン層8bをそれぞれ露出させる開口部10a、10bを形成した後、バリアメタル膜11a、11bをそれぞれ介して埋め込まれたプラグ12a、12bを開口部10a、10b内にそれぞれ形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
コンタクト領域に配置され、バンドギャップまたは電子親和力が互いに異なる複数の半導体層と、 前記コンタクト領域において前記複数の半導体層に接触する金属配線層とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786
FI (5件)：
H01L21/28 L ,  H01L29/50 M ,  H01L21/90 D ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 616T
Fターム (136件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA06 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH15 ,  5F033GG00 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033HH04 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM30 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN13 ,  5F033NN16 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033SS15 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX09 ,  5F110AA03 ,  5F110AA09 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK21 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HM02 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AA10 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA10 ,  5F140BC13 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG18 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH06 ,  5F140BH15 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ14 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ25 ,  5F140BJ27 ,  5F140BJ28 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK23 ,  5F140BK26 ,  5F140BK39 ,  5F140CA03 ,  5F140CC13
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)
  • 特開昭63-147318
  • 特開昭63-169755
  • 電界効果トランジスタおよび形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-190957   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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