特許
J-GLOBAL ID:200903017089138316

多層配線基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-046018
公開番号(公開出願番号):特開平11-251755
出願日: 1998年02月26日
公開日(公表日): 1999年09月17日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、高周波回路基板としての誘電体特性を満足し、しかも、反りや基板の変形のない多層配線基板を提供する。【解決手段】 複数の誘電体層の層間に、AgまたはCuを主成分とする配線パターンを配置した多層配線基板であって、前記誘電体層が、(1-x)MgTiO3 ・xCaTiO3 と表した時、前記xが0≦x≦0.2を満足する誘電体材料に、該誘電体材料100重量部に対して、B含有化合物をB2 O3 換算で3〜20重量部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で1〜10重量部、Si含有化合物をSiO2 換算で0.01〜5重量部、さらにアルカリ土類金属含有化合物をアルカリ土類金属酸化物換算で0.1〜2重量部が含有している多層配線基板である。
請求項(抜粋):
複数の誘電体層の層間に、AgまたはCuを主成分とする配線パターンを配して成る多層配線基板であって、前記誘電体層は、一般式(1-x)MgTiO3 ・xCaTiO3 と表した時、xが0≦x≦0.2を満足する該誘電体材料100重量部に対して、B含有化合物をB2 O3 換算で3〜20重量部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で1〜10重量部、Si含有化合物をSiO2 換算で0.01〜5重量部、さらに、アルカリ土類金属含有化合物をアルカリ土類金属酸化物換算で0.1〜2重量部を含有されていることを特徴とする多層配線基板。
FI (2件):
H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 Q
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 誘電体磁器組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-073275   出願人:京セラ株式会社
  • 特開昭51-030958
  • 誘電体磁器組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-028487   出願人:松下電器産業株式会社

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