特許
J-GLOBAL ID：200903017091349006
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-091242
公開番号（公開出願番号）：特開2007-260866
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】MEMSデバイスと半導体デバイスとを備えていても、高集積化および薄化することを可能にする。【解決手段】MEMSデバイス2aが形成された第1チップ2と、半導体デバイス4aが形成された第2チップ4と、第1チップの側面と第2チップの側面とを接着し、第1および第2チップの材料よりも小さいヤング率を有する接着層10と、を有する接合チップを備えている【選択図】図2
請求項（抜粋）：
MEMSデバイスが形成された第1チップと、
半導体デバイスが形成された第2チップと、
前記第1チップの側面と前記第2チップの側面とを接着し、前記第1および第2チップの材料よりも小さいヤング率を有する接着層と、
を有する接合チップを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
B81B 7/02
, B81C 1/00
, H01L 25/04
, H01L 25/18
B81B7/02
, B81C1/00
, H01L25/04 Z
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (9件)
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