特許
J-GLOBAL ID：200903017094032003

電子デバイス、電子デバイスの製造方法および電子機器

発明者：
増田 貴史

増田 貴史 について

, 
瀧口 宏志

瀧口 宏志 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-322976
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135109
出願日： 2004年11月05日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】特性に優れ、かつ、特性の経時劣化を防止し得る電子デバイス、かかる電子デバイスを用いた表示装置、および、電子機器を提供すること。【解決手段】薄膜トランジスタ1は、互いに分離して設けられたソース電極20aおよびドレイン電極20bと、ソース電極20aおよびドレイン電極20bの表面に形成された有機膜60と、ソース電極20aおよびドレイン電極20bを覆い、かつ、有機膜60と接触するように設けられた有機半導体層30と、有機半導体層30上に設けられたゲート絶縁層40と、ゲート絶縁層40上に設けられたゲート電極60とを有する。有機膜60は、好ましくは一般式:CF3(CF2)m(CH2)nSH(ただし、mは1〜35の整数を示し、nは2〜33の整数を示す。)で表される非共役系有機化合物を含む有機化合物を、ソース電極20aおよびドレイン電極20bの表面に結合させてなるものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一対の電極と有機半導体層とを有する電子デバイスであって、 前記一対の電極のうちの少なくとも一方の電極の表面に、非共役系有機化合物を含む有機化合物を結合させてなる有機膜を有することを特徴とする電子デバイス。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/417
FI (6件)：
H01L29/78 616V ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/28 ,  H01L29/50 M
Fターム (62件)：
4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD68 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM