特許
J-GLOBAL ID：200903048825821838

半導体装置およびその作製方法

発明者：
川崎 昌宏

川崎 昌宏 について

, 
今関 周治

今関 周治 について

, 
安藤 正彦

安藤 正彦 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-321870
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093542
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 スイッチング素子に、ボトムコンタクト型の有機TFTを用いることにより、表示装置,IDタグ,センサー等の半導体装置の低コストで提供すること。【解決手段】 ボトムコンタクト型有機TFTの半導体層を多結晶材料で形成し、ソース・ドレイン電極のチャネル長方向におけるテーパー幅を、ソース・ドレイン電極上に成長する半導体結晶の平均粒径よりも短くする。または、ボトムコンタクト型有機TFTのソース・ドレイン電極のチャネル側側面の形状を、基板面に対して上に凸型になるように形成する。または、ボトムコンタクト型有機TFTのソース・ドレイン電極と半導体層との間には、前記半導体層とは異なる有機化合物層1Å以上10Å以下の厚さで介在させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に、ゲート電極,ゲート絶縁膜,ソース・ドレイン電極、及び半導体層を順次積層した薄膜トランジスタを用いた半導体装置において、 前記半導体層は多結晶材料で形成され、前記ソース・ドレイン電極はチャネル側にテーパー部を有し、チャネル長方向の前記テーパー幅が、前記ソース・ドレイン電極上の半導体結晶の平均粒径よりも短いことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/28
Fターム (36件)：
5F110AA03 ,  5F110AA05 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK50 ,  5F110HM07 ,  5F110QQ14
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (3件)

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