特許
J-GLOBAL ID：200903017104858207
常圧CVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-103749
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298245
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：
【要約】【目的】装置の稼働を停止することなくサセプタの清浄化を行うことができ、かつサセプタの清浄化エッチングの際にサセプタの移動手段がエッチングされなく、破損サセプタの交換が容易である常圧CVD装置を提供する。【構成】上部レール13を搬送するサセプタ3上の半導体ウエハ10の表面に常圧CVDで薄膜を形成しこの半導体ウエハ10を取り外したサセプタ3をアンローダサセプタダウン機構9で下降させ、第1の下部レール14に沿って搬送し、プラズマ反応部30で清浄化し、第2の下部レール15に沿って搬送し、ローダサセプタアップ機構8により上昇させ、再度半導体ウエハを搭載して上部レール13を搬送する。
請求項（抜粋）：
上側に、ウエハローダ機構、上部レール、上部サセプタ駆動部、ヒータ、ディスパージョンヘッドおよびウエハアンローダ機構を設け、下側に、第1の下部レール、第1の下部サセプタ駆動部、プラズマ反応部、第2の下部レールおよび第2の下部サセプタ駆動部を設け、前記上側と下側との間にモータおよび支持部を含むローダサセプタアップ機構ならびにモータおよび支持部を含むアンローダサセプタダウン機構を設け、前記ウエハローダ機構により半導体ウエハが載置されたサセプタを前記上部サセプタ駆動部により前記上部レールに沿って搬送させ、この搬送過程において前記半導体ウエハが前記ヒータにより所定の温度に加熱されたところで上部に設置されている前記ディスパージョンヘッドからの反応ガスによりその表面にCVD薄膜を形成し、そのまま前記サセプタを搬送させてその上から前記ウエハアンローダ機構により前記半導体ウエハを取り去り、その後、前記サセプタを前記アンローダサセプタダウン機構により下降させて前記第1の下部レールに沿って前記プラズマ反応部の方向に前記第1の下部サセプタ駆動部により搬送し、前記プラズマ反応部において清浄化した前記サセプタを前記第2の下部サセプタ駆動部により前記第2の下部レールに沿って前記ローダサセプタアップ機構の方向に搬送させ、前記サセプタを前記ローダサセプタアップ機構により上昇させて再度前記ウエハローダ機構により半導体ウエハを載置させる作業を繰り換えすことを特徴とする常圧CVD装置。
IPC (6件)：
H01L 21/205
, B65G 35/06
, B65G 47/52
, B65G 49/07
, C23C 16/44
, H01L 21/68
H01L 21/205
, B65G 35/06 K
, B65G 47/52 E
, B65G 49/07 B
, C23C 16/44 J
, H01L 21/68 N
