特許
J-GLOBAL ID：200903017130388553
単結晶の製造方法およびその装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
,
代理人 (2件)：
菊地 精一 (外1名)
, 菊地 精一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-244348
公開番号（公開出願番号）：特開2001-072491
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月21日
要約：
【要約】【課題】 温度の均一化、ルツボ内の原料濃度の変化を抑え長時間成長の場合でも昇華ガスの均一性が高く、成長した単結晶の欠陥が少なく、結晶口径の大きい拡大率を有する高品質単結晶を長時間連続成長させる製造方法及びその為の装置の提供。【解決手段】 昇華法による結晶成長方法において、ルツボ1中に上部が細く、下部が太い中空状伝熱体2を設置することにより、結晶成長を行い、原料3表面の温度分布をより均一とし、原料からの不純物・付着妨害物粒子の付着が少ない高品質の結晶を得ることを特徴とする単結晶の製造方法。
請求項（抜粋）：
昇華法による結晶成長方法において、ルツボ中に上部が細く、下部が太い中空状伝熱体を設置することにより、結晶成長を行い、原料表面の温度分布をより均一とし、原料からの不純物・付着妨害物粒子の付着が少ない高品質の結晶を得ることを特徴とする単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 23/06
, C30B 29/36
, H01L 21/203
C30B 23/06
, C30B 29/36 A
, H01L 21/203 Z
4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077EG15
, 5F103AA01
, 5F103BB02
, 5F103BB11
, 5F103BB21
, 5F103DD17
, 5F103DD23
, 5F103GG01
, 5F103HH03
, 5F103LL20
, 5F103RR06
出願人引用 (2件)
-
ZnSe単結晶の成長方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-099894
出願人：住友電気工業株式会社
-
特開昭62-066000
審査官引用 (3件)
-
ZnSe単結晶の成長方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-099894
出願人：住友電気工業株式会社
-
特開昭62-066000
-
特開昭62-066000
前のページに戻る
