特許

J-GLOBAL ID：200903017180220173

窒化アルミニウム単結晶積層基板

発明者： 福山 博之 ,  楠 信哉 ,  中村 克仁 ,  高田 和哉 ,  箱守 明
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-031086
公開番号（公開出願番号）：特開2006-213586
出願日： 2005年02月07日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：

【課題】 貫通転位の発生が抑制された窒化アルミニウム(AlN)単結晶膜をその表面に有する、半導体素子用基盤として有用な窒化アルミニウム結晶積層基板を提供する。 【解決手段】 サファイアなどの単結晶α-アルミナ基板上に直接還元窒化法により窒化アルミニウム単結晶が積層されてなり、両結晶の界面近傍に厚みが10nm以下、刃状転位の転位層が存在する窒化アルミニウム単結晶積層基板であって、表面に存在する窒化アルミニウム単結晶膜には貫通転位がほとんど存在しない。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

単結晶α-アルミナ基板上に窒化アルミニウム単結晶が積層されてなり、両結晶の界面近傍に転位層が存在することを特徴とする窒化アルミニウム単結晶積層基板。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

C30B29/38 C ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

Fターム (11件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP72

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体の結晶成長方法および窒化物半導体装置並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-141143   出願人：松下電子工業株式会社
• III-V族窒化物系半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-084963   出願人：日本電気株式会社, 日立電線株式会社