特許
J-GLOBAL ID:200903001540176800

窒化物半導体の結晶成長方法および窒化物半導体装置並びにその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田 弘 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-141143
公開番号(公開出願番号):特開2000-049092
出願日: 1999年05月21日
公開日(公表日): 2000年02月18日
要約:
【要約】【課題】窒化物半導体結晶層における転位を従来よりも減少させる窒化物半導体の結晶成長方法を提供する。【解決手段】本発明の窒化物半導体の結晶成長方法は、基板上に金属単結晶層を形成する工程と、金属単結晶層を窒化することによって金属窒化物単結晶層を形成する工程と、金属窒化物単結晶層上に窒化物半導体層をエピタキシャル成長する工程とを包含する。
請求項(抜粋):
基板上に第1金属単結晶層を形成する工程と、前記第1金属単結晶層を窒化することによって金属窒化物単結晶層を形成する工程と、前記金属窒化物単結晶層上に第1窒化物半導体層をエピタキシャル成長する工程と、を包含する窒化物半導体の結晶成長方法。
IPC (3件):
H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/30
FI (3件):
H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許:
審査官引用 (6件)
全件表示
引用文献:
前のページに戻る