特許

J-GLOBAL ID：200903017186091510

電子装置及びその製造方法並びに電子機器

発明者： 橋元 伸晃
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-116896
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327527
出願日： 2003年04月22日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】本発明の目的は、半導体基板と基板との電気的接続部分の接合力強化を強化することにある。【解決手段】電子装置は、集積回路12が内部に形成された半導体基板10と、半導体基板10上に形成されて弾性変形可能部24を有する絶縁層20と、半導体基板10の内部に電気的に接続されて弾性変形可能部24上に形成されてなる電極34と、電極34と対向して電気的に接続された配線パターン62が形成されてなる基板58と、を有する。弾性変形可能部24は、電極34の下方において窪むように弾性変形し、弾性力によって、電極34を配線パターン62に押圧してなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

集積回路が内部に形成された半導体基板と、 前記半導体基板上に形成されて弾性変形可能部を有する絶縁層と、 前記半導体基板の内部に電気的に接続されて前記弾性変形可能部上に形成されてなる電極と、 前記電極と対向して電気的に接続された配線パターンが形成されてなる基板と、 を有し、 前記弾性変形可能部は、前記電極の下方において窪むように弾性変形し、弾性力によって、前記電極を前記配線パターンに押圧してなる電子装置。

IPC (7件)：

H01L23/12 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/00 ,  H01L21/60 ,  H05B33/06 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (7件)：

H01L23/12 501P ,  G02F1/1345 ,  G09F9/00 348Z ,  H01L21/60 311S ,  H05B33/06 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A

Fターム (20件)：

2H092GA46 ,  2H092GA48 ,  2H092GA55 ,  2H092GA60 ,  2H092HA24 ,  2H092MA31 ,  2H092NA18 ,  3K007BB07 ,  3K007DB03 ,  3K007FA02 ,  5F044KK06 ,  5F044LL09 ,  5F044LL11 ,  5G435AA06 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435EE32 ,  5G435EE37 ,  5G435EE42 ,  5G435HH18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-075282   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置とその製造方法及び半導体装置の実装構造とその実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-366231   出願人：日本電気株式会社
• パッケージ構造並びに半導体装置、パッケージ製造方法及び半導体装置製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-341182   出願人：日本電気株式会社